南钢转炉厂硅钙线的XPS分析_百度文库
进行分峰拟合处理后分别得到5个分立的峰,通过与文献[3-8]中已测得的结果对比,Si2p的拟合结果中结合能为97.9eV对应于CaSi2中Si2p结合能,结合能98.54eV对应于Si的Si2p...
电子束辐照单晶硅的能量沉积与辐照效应- 会议论文- 道客巴巴
从图6 P斗芯能级谱可知,掺P硅衬底界面区在电子辐照后P-Si键峰强明显减弱,同时峰位99.5eV的Si2P峰(包含P-Si键峰,其结合能也与纯硅的Si2P结合能99.45eV接近)的相对含量...
C+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的- 豆丁网
,会造成大量的表面缺陷.大量表面缺陷的产生 ,使得费密能级被钉扎 ,因此 ,如图 2所示Si2p结合能的变化只依赖于 Si原子的荷电状态.从Si2p的结合能与 C原子浓度的关系中 ,可以...
聚氨酯的高温耐水解改性- 豆丁网
在图1e中表现尤为明显的缔合峰与推测相吻合。对3一氨丙基氧基硅烷处理后的PU膜表面进行XPs分析谱图2(c)表明,表面包含O C Si:.、Si2p结合能,而N。.峰消失,同时O。...
氨气预氮化制备超薄氮化硅薄膜及电学性能- 豆丁网
图1是氮化30 min样品的XPS图谱。从图中可以看到,在101.7 eV处出现的峰与Si。N。中的Si2p结合能101.6 eV非常吻合;而在397.7 eV处的峰与Si。N。中的Nils结合能397.6 e...
硅晶片上超薄氧化硅层厚度纳米尺寸效应的XPS研究--《物理化...
也有来自衬底Si的电荷移动对空穴的屏蔽(有效屏蔽距离大约是(2.5±0.6)nm);当d3nm时Si2p结合能增大,此时只有来自SiO2的原子外弛豫,d较小者的Si2p结合能较高.SiO2的价带...
硅晶片上超薄氧化硅层厚度纳米尺寸效应的XPS研究-《物理化...
人们很早开始用X射线光电子能谱(XPS)来研究硅晶片上表面氧化物及其SiO2-Si界面,并观察到SiO2的Si2p结合能与其膜厚有关[2-4].但是,在这些研究中膜厚的精确测量尚未解...
水热处理前后不同改性ZSM_5催化剂性能的研究(1)&46;pdf - 豆丁...
25 (B) ,再进行水热老化处理,对水热老化前后的催化剂进行各种表征。311 XPS结果表1水热处理前后ZSM-5表面状态的变化样品名称表面SiA l比 Si2p结合能eV A l2p结合能eV...
新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究- 豆丁网
形成了 O-Si键或O-N键,而 Si、N的电负性比金属 Hf的强,从而使O1s的结合能升高。HfSiON薄膜中 Si2p的结合能为99.8 eV,与Si-O键的结合能103.3 eV和Si-N键的结合能 101.8...
XPS - 科学技术- 道客巴巴
内层电子结合能核引力外层电子屏蔽作用ΔQ−ΔQOSi电子云核引力核引力价态Si2p结合能Si99.6eVSiO2 103.4eVff例SiO2中Si2p的结合能变化2化学状态的确定选定已知化...
